Профиль компании
Философия бизнеса
Обзор завода
Контроль качества
Квалификация и честь
История развития
Оптические кристаллы
Лазерный Кристалл
Сцинтилляционный кристалл
Пьезоэлектрический кристалл
Магнито-оптический кристалл
Акустооптический кристалл
Двулучепреломляющий кристалл
Нелинейный кристалл
Монокристаллический металл
Монокристаллическая подложка
Специальное стекло
Драгоценные камни
Прецизионная оптика
Окно
Светоделительная призма
Объектив
Призма
Фильтр
Решетка
Волновая пластина
Зеркало
Объектив Flyeye
Оптические устройства
Фотоэлектрический переключатель
Оптический изолятор
Акустооптический модулятор
Полупроводниковые материалы
Полупроводниковая пластина
Керамическая подложка
Распыление мишени
Лабораторные расходные материалы
Компоненты оптического стола
Упаковочные материалы
Оборудование и расходные материалы
Интеллектуальное производство
Медицинская красота
Новые энергетические транспортные средства
Фотовольтаика и освещение
Аэрокосмическая промышленность
Оптическая связь
Интегральная схема
Технология визуализации
Бытовая электроника
Национальная оборона и безопасность
Биотехнология
Обнаружение и измерение
Техническая информация
Скачать
Окно Часть
Отражатель
Решение
Новости компании
Новости отрасли
Информация о выставке
Контакт
Партнеры Сотрудничество
Нанимать на работу
Gallium Arsenide GaAs
Gallium arsenide GaAs has some better electronic characteristics than Si, such as high saturation electron velocity and high electron mobility, making GaAs can be used in occasions higher than 250 GHz. GaAs will have less noise if the equivalent GaAs and Si components are both operating at high frequencies
Gallium Nitride GaN
Gallium nitride is a compound synthesized from nitrogen and gallium , It is grown by synthetic crystals. Since GaN does not melt at atmospheric pressure, it must be formed by vapor phase or solution deposition.
Gallium oxide Ga 2 O 3
Gallium oxide is an ultra-wide bandgap semiconductor with a large bandgap (4.8 eV), high critical breakdown field strength (8MV/cm), conduction characteristics almost 10 times that of silicon carbide, and material growth costs lower than The third-generation semiconductor has received more and more attention and research interest in the fields of u
InP indium phosphide
As one of the most important compound semiconductor materials, InP indium phosphide single crystal material is the key material for the production of InP-based laser diodes (LDs), light-emitting diodes (LEDs) and photodetectors in optical communications. These devices realize optical fiber communications. Information transmission, dissemination, am
Indium arsenide InAs
InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb and other heterojunction materials can be grown with InAs single crystal as the substrate, and infrared light-emitting devices with a wavelength of 2-14 μm can be produced. AlGaSb superlattice structure materials can also be epitaxially grown with InAs single crystal substrate, and the production Mid-infrared quantum casc
Lithium niobate LN
Lithium niobate LN is an inorganic substance with a chemical formula of LiNbO3. It is a negative crystal and a ferroelectric crystal . The polarized lithium niobate crystal has many properties such as piezoelectricity, ferroelectricity, photoelectricity, nonlinear optics, and thermoelectricity. High-performance materials with photorefractive effect
